O języku map sieci odwrotnej

Adrian Sulich

doi:10.31648/hip.2632

Veröffentlicht am: 2018-12-211

Nr. 24 (2018)

O języku map sieci odwrotnej

Adrian Sulich

Humanistyka i Przyrodoznawstwo

Rubrik: Artikel

https://doi.org/10.31648/hip.2632

Abstract

Artykuł jest semiotycznym studium map sieci odwrotnej ‒ wykresów stosowanych we współczesnych naukach przyrodniczych do reprezentacji dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego na kryształach. Źródłem badanego materiału są artykuły z dziedziny krystalografii. Przeprowadzona analiza, wykorzystująca narzędzia pojęciowe używane w językoznawstwie, wykazuje, że rozważane obiekty znakowe to nielinearne teksty mieszane oparte w dominującej mierze na kodzie graficznym. W ich strukturze da się wyodrębnić zarówno elementy odnoszące się do rzeczywistości pozatekstowej, jak i metatekst oraz metajęzyk. Dekodowanie map sieci odwrotnej jest złożonym procesem, angażującym nie tylko wiedzę o systemie ich języka, lecz także odbiór informacji o charakterze presupozycyjnym i implikacyjnym. Przegląd literatury krystalograficznej ujawnia istnienie dużej różnorodności form badanych wykresów. Najczęściej spotykane warianty zostały szczegółowo omówione, sformułowałem też postulaty dotyczące ich kodyfikacji, która mogłaby być pożyteczna z punktu widzenia ekonomii językowej naukowego dyskursu. Ponadto, zaprezentowałem przykładowe inne typy stosowanych w krystalografii dwuwymiarowych znaków ikonicznych, które (razem z mapami sieci odwrotnej) mogą tworzyć makrosystem semiotyczny, wart dalszych studiów.

Dateien herunterladen

pdf (Język Polski)

Zitierregeln

Sulich, A. (2018). O języku map sieci odwrotnej. Humanistyka I Przyrodoznawstwo, (24), 519–562. https://doi.org/10.31648/hip.2632

Zitiert von / Teilen

Lizenz

Dieses Werk steht unter der Lizenz Creative Commons Namensnennung - Nicht-kommerziell 4.0 International.

Literaturhinweise

Apresjan J. (2000), Semantyka leksykalna. Synonimiczne środki języka, przeł. Z. Kozłowska A. Markowski, oprac. Z. Kozłowska, E. Janus, Zakład Narodowy im. Ossolińskich, Wrocław-Warszawa-Kraków.

Ashcroft N.W., Mermin N.D. (1986), Fizyka ciała stałego, przeł. J.M. Kowalski, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa.

Austin J.L. (1993), Jak działać słowami, [w:] Idem, Mówienie i poznawanie, przeł. B. Chwedeńczuk, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa: 545‒708.

Bobrowski C. (1999), Fizyka – krótki kurs, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa.

Bojar B. (1987), O języku znaków drogowych, [w:] Od kodu do kodu: prace ofiarowane profesorowi Olgierdowi Adrianowi Wojtasiewiczowi na 70–lecie jego urodzin, A. Bogusławski, B. Bojar (red.), Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego, Warszawa: 237–248.

Bojar B. (2004), Pole informacyjne, dokumentacyjne, tematyczne, semantyczne czy leksykalne?, „Zagadnienia Informacji Naukowej” 1 (83): 3‒11.

Bragg W.H., Bragg, W.L. (1913), The Reflection of X-rays by Crystals, „Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Containing Papers of a Mathematical and Physical Character” 88 (605): 428‒438.

Cullity B.D. (1964), Podstawy dyfrakcji promieni rentgenowskich, przeł. B. Kołakowski, M. Lefeld-Sosnowska, L. Górski, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa.

Grice P. (1977), Logika i konwersacja, przeł. J. Wajszczuk, „Przegląd Humanistyczny” 6: 85‒99.

Grzegorczykowa R. (2007), Wstęp do językoznawstwa, Wydawnictwo Naukowe PWN, Warszawa.

Horecka A. (2010), Pojęcie znaku ikonicznego w dziełach wybranych przedstawicieli szkoły lwowsko-warszawskiej: Kazimierza Twardowskiego, Tadeusza Witwickiego, Stanisława Ossowskiego, Mieczysława Wallisa i Leopolda Blausteina, „Studia Semiotyczne” 27: 307‒352.

Jakobson R. (1960), Poetyka w świetle językoznawstwa, „Pamiętnik Literacki” 51 (2): 431‒473.

Korta K., Perry J. (2015), Pragmatics, [in:] The Stanford Encyclopedia of Philosophy (Winter 2015 Edition), E.N. Zalta (ed.), URL = https://plato.stanford.edu/archives/win2015/entries/pragmatics/ [dostęp z dnia 30.09.2018].

Kuna J., Rzuciło A. (2015), Jak zobaczyć informacje, czyli różnorodne funkcje mapy w procesie wymiany informacji, „Folia Bibliologica” 57: 87‒97.

Lyons J. (1975), Wstęp do językoznawstwa, przeł. K. Bogacki, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa.

Masztalerz M. (2013), Rachunkowość w świetle językoznawstwa, „Zeszyty Teoretyczne Rachunkowości” 1 (127): 177–191.

Mozer A. (2001), Język informacyjny wielkiego miasta na przykładzie centrum Warszawy, „Studia Regionalne i Lokalne” 2–3 (6): 127‒148.

Ossowski S. (1967), Analiza pojęcia znaku, [w:] Idem, Dzieła, t. 4: O nauce, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa: 33–59.

Ostrowski W. (2013), Relacje semiotyczne w odniesieniu do kartografii, „Polski Przegląd Kartograficzny” 45 (1): 5–14.

Pagin P. (2016), Assertion, [in:] The Stanford Encyclopedia of Philosophy (Winter 2016 Edition), E.N. Zalta (ed.), URL= https://plato.stanford.edu/archives/win2016/entries/assertion/ [dostęp z dnia 30.09.2018].

Pelc J. (1981), Wstęp do semiotyki, Wiedza Powszechna, Warszawa.

Pietsch U., Holy V., Baumbach T. (2004), High Resolution X-Ray Scattering from Thin Films to Lateral Nanostructures, Springer-Verlag, New York.

Polański K. (red.) (1995), Encyklopedia językoznawstwa ogólnego, Ossolineum, Wrocław.

Posner R. (1990), Równowaga złożoności hierarchii precyzji. Dwie zasady ekonomii w notacji językowej i muzycznej, „Studia Semiotyczne” 16: 109‒117.

Saussure F. de (1961), Kurs językoznawstwa ogólnego, przeł. K. Kasprzyk, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa.

Wierzbicka A. (1971), Metatekst w tekście, [w:] O spójności tekstu, M.R. Mayenowa (red.), Ossolineum, Wrocław: 105‒121.

Wójcik T. (1969), Prakseosemiotyka: zarys teorii optymalnego znaku, Państwowe Wydawnictwo Naukowe, Warszawa.

Ziomek J. (1984), Metafora a metonimia: refutacje i propozycje, „Pamiętnik Literacki” 75 (1): 181‒209.

Żebrowska E. (2012), Tekst w komunikacji zapośredniczonej komputerowo, „Lingwistyka Stosowana” 5: 145‒154.

Źródła materiału do analizy

Bauer S., Lazarev S., Bauer M., Meisch T., Caliebe M., Holý V., Scholz F., Baumbach T. (2015), Three-dimensional reciprocal space mapping with a two-dimensional detector as a low-latency tool for investigating the influence of growth parameters on defects in semipolar GaN, “Journal of Applied Crystallography” 48: 1000–1010, doi:10.1107/S1600576715009085.

Birch J., Sundgren J.‐E., Fewster P. F. (1995), Measurement of the lattice parameters in the individual layers of single-crystal superlattices, “Journal of Applied Physics” 78: 6562‒6568; doi: 10.1063/1.360476.

Cornelius T.W., Davydok A., Jacques V.L.R., Grifone R., Schülli T., Richard M-I., Beutier G., Verdier M., Metzger T.H., Pietsch U., Thomas O. (2012), In situ three-dimensional reciprocal-space mapping during mechanical deformation, “Journal of Synchrotron Radiation” 19: 688–694, doi:10.1107/S0909049512023758.

Domagala J.Z., Czyzak A., Zytkiewicz Z.R. (2007), Imaging of strain in laterally overgrown GaAs layers by spatially resolved x-ray Diffraction, “Applied Physics Letters” 90: 241904 (3 pp), doi:10.1063/1.2748304.

Domagała J.Z., Morelhão S.L., Sarzynski M., Mazdziarz M., Dłuzewski P., Leszczynski M. (2016), Hybrid reciprocal lattice: application to layer stress determination in GaAlN/GaN(0001) systems with patterned substrates, “Journal of Applied Crystallography” 49: 798–805, doi:10.1107/S1600576716004441.

Fewster P.F. (1991), Combining High-Resolution X-ray Diffractometry and Topography, “Journal of Applied Crystallography” 24: 178‒183, doi:10.1107/S0021889890013085.

Fewster P.F. (1997), Reciprocal space mapping, “Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences” 22 (2): 69‒110, doi:10.1080/10408439708241259.

Fewster P.F. (2003), X-ray Scattering from Semiconductors, Imperial College Press, London.

Gorfman S., Keeble D.S., Bombardi A., Thomas P.A. (2015), Topology and temperature dependence of the diffuse X-ray scattering in Na0.5Bi0.5TiO3 ferroelectric single crystals, “Journal of Applied Crystallography” 48: 1543–1550, doi:10.1107/S160057671501571X.

Hu Z.W., Thomas B.R., Chernov A.A. (2001), Laboratory multiple-crystal X-ray topography and reciprocal-space mapping of protein crystals: influence of impurities on crystal perfection, “Acta Crystallographica Section D, Biological Crystallography” D57: 840‒846, doi:10.1107/S0907444901005832.

Hu W., Suzuki H., Sasaki T., Kozu M., Takahasi M. (2012), High-speed three-dimensional reciprocal-space mapping during molecular beam epitaxy growth of InGaAs, “Journal of Applied Crystallography” 45: 1046–1053, doi:10.1107/S0021889812036175.

Kim Ch., Robinson I.K., Myoung J., Shim K-H., Kim K. (1999), Buffer layer strain transfer in AlN/GaN near critical thickness, “Journal of Applied Physics” 85: 4040‒4044, doi:10.1063/1.370308.

Kopp V.S., Kaganer V.M., Jenichen B., Brandt O. (2014), Analysis of reciprocal space maps of GaN(0001) films grown by molecular beam epitaxy, “Journal of Applied Crystallography” 47: 256–263, doi:10.1107/S1600576713032639.

Lankinen A., Knuuttila L., Kostamo P., Tuomi T.O., Lipsanen H., McNally P.J., O’Reilly L. (2009), Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge, “Journal of Crystal Growth” 311: 4619–4627, doi:10.1016/j.jcrysgro.2009.08.032.

Lomov A.A., Punegov V.I., Nohavica D., Chuev M.A., Vasiliev A.L., Novikov D.V. (2014), High-resolution synchrotron diffraction study of porous buffer InP(001) layers, “Journal of Applied Crystallography” 47: 1614–1625, doi:10.1107/S1600576714016392.

Lonardelli I., Wenk H-R., Lutterotti L., Goodwin M. (2005), Texture analysis from synchrotron diffraction images with the Rietveld method: dinosaur tendon and salmon scale, “Journal of Synchrotron Radiation” 12: 354–360, doi:10.1107/S1600576714016392.

Lyford T.S., Collins S.P., Fewster P.F., Thomas P.A. (2015), X-ray investigation of lateral hetero-structures of inversion domains in LiNbO3, KTiOPO4 and KTiOAsO4, “Acta Crystallographica” A71: 255–267, doi:10.1107/S2053273315001503.

Mariager S.O., Lauridsen S.L., Dohn A., Bovet N., Sørensen C.B., Schlepütz C.M., Willmott P.R., Feidenhans R. (2009), High-resolution three-dimensional reciprocal-space mapping of InAs nanowires, “Journal of Applied Crystallography” 42: 369–375, doi:10.1107/S0021889809009145.

Morelhão S.L., Domagala J.Z. (2007), Hybrid reciprocal space for X-ray diffraction in epitaxic layers, “Journal of Applied Crystallography” 40: 546‒551, doi:10.1107/S002188980701521X.

Sasaki T., Suzuki H., Takahasi M., Ohshita Y., Kamiya I., Yamaguchi M. (2011), X-ray reciprocal space mapping of dislocation-mediated strain relaxation during InGaAs/GaAs(001) epitaxial growth, “Journal of Applied Physics” 110: 113502 (7 pp), doi:10.1063/1.3664832.

Schick D., Shayduk R., Bojahr A., Herzog M., von Korff Schmising C., Gaal P., Bargheer M. (2013), Ultrafast reciprocal-space mapping with a convergent beam, “Journal of Applied Crystallography” 46: 1372–1377, doi:10.1107/S0021889813020013.

Serafińczuk J. (2006), Modelowanie i symulacja węzłów sieci odwrotnej struktur o dużym niedopasowaniu sieciowym w stosunku do podłoża, Wrocław (praca doktorska).

Shilo D., Lakin E., Zolotoyabko E. (2001), Measurement of subtle strain modifications in heterostructures by using X-ray mapping in reciprocal space, “Journal of Applied Crystallography” 34: 715‒721, doi:10.1107/S0021889801013759.

Sluis P. van der (1994), Determination of Strain in Epitaxial Semiconductor Structures by High-Resolution X-Ray Diffraction, “Applied Physics A” 58: 129‒134, doi:10.1007/BF00324367.

Teplyakova L.A., Bespalova I.V. (2015), Behavior of Macrofragmentation of Shear-induced Deformation and of Reorientation of Macroregions Formed in Aluminum Single Crystals Under Compression, “Russian Physics Journal” 58 (4): 465‒470, doi:10.1007/s11182‒015‒0522‒9.

Tsoutsouva M.G., Oliveira V.A., Baruchel J., Camel D., Marie B., Lafford T.A. (2015), Characterization of defects in mono-like silicon for photovoltaic applications using X-ray Bragg diffraction imaging, “Journal of Applied Crystallography” 48: 645–654, doi:10.1107/S1600576715004926.

Vergentev T., Bronwald I., Chernyshov D., Gorfman S., Ryding S.H.M., Thompson P., Cernik R.J. (2016), A rapid two-dimensional data collection system for the study of ferroelectric materials under external applied electric fields, “Journal of Applied Crystallography” 49: 1501–1507, doi:10.1107/S1600576716011341.

Wako K., Kimura K., Yamamoto Y., Sawaura T., Shen M., Tachibana M., Kojima K. (2012), Digital topography with an X-ray CCD camera for characterizing perfection in protein crystals, “Journal of Applied Crystallography” 45: 1009–1014, doi:10.1107/S0021889812032049.

Wang Y.P., Letoublon A., Thanh T.N., Bahri M., Largeau L., Patriarche G., Cornet Ch., Bertru N., Le Corre A., Durand O. (2015), Quantitative evaluation of microtwins and antiphase defects in GaP/Si nanolayers for a III–V photonics platform on silicon using a laboratory X-ray diffraction setup, “Journal of Applied Crystallography” 48: 702–710, doi:10.1107/S1600576715009954.

Wierzbicka A., Zytkiewicz Z.R., Kret S., Borysiuk J., Dluzewski P., Sobanska M., Klosek K., Reszka A., Tchutchulashvili G., Cabaj A., Lusakowska E. (2013), Influence of substrate nitridation temperature on epitaxial alignment of GaN nanowires to Si(111) substrate, “Nanotechnology” 24: 035703 (7 pp), doi:10.1088/0957‒4484/24/3/035703.

Yang P., Liu H., Chen Z., Chen L., Wang J. (2014), Unit-cell determination of epitaxial thin films based on reciprocal-space vectors by high-resolution X-ray diffractometry, “Journal of Applied Crystallography” 47: 402–413, doi:10.1107/S1600576713031191.

Zaumseil P. (2017), X-ray investigation of strained epitaxial layer systems by reflections in skew geometry, “Journal of Applied Crystallography” 50: 475–480, doi:10.1107/S160057671700245X. Google Scholar